目前外界基于高盛的研究报告指出，中国7纳米及以下先进制程在2025年将面临92%的供应缺口，预计到2035年这一数字将降至34%。其中预计中芯国际在2026年的良率将达到23%，到2030年可升至50%，2035年将达到75%。外媒所提及的“低于30%”良率的观点正是来自于这些数据。
良率的定义是，在一片硅晶圆上，经过切割后能够正常工作的芯片占比。例如，若一片晶圆生产出500颗芯片，只有150颗能够正常使用，则良率为30%。因此，良率低意味着巨大的资源浪费。三星3纳米工艺的早期经验告诉我们，良率过低常常导致客户转向竞争对手。
与台积电的情况相对比，其在2018年推出的7纳米工艺如今良率已稳定在90%以上，而中芯国际由于缺乏EUV光刻机，主要依靠传统光刻技术，良率自然受到影响。此外，中芯国际最近的产品如华为的麒麟9030芯片显示出较高的复杂性，如果良率真的不足三成，华为不会下巨额订单。
与此同时，台积电也面临挑战，其已经通知客户将在2027年对先进制程价格上调，显示出市场需求强劲。同时中国也在努力提高自给率，2026年预计将达到70%，较2010年的38%有所提升。
最近，中芯国际开始与其他公司合作，比如华虹集团的华力微，预计将提升7纳米的生产能力，这对于突破技术瓶颈至关重要。尽管未来的良率和市场环境仍存变数，但国内市场对于国产芯片的需求依然旺盛。
高盛预测到2035年中国在7纳米以下的供应缺口将降至34%，但这个乐观的期望基于一系列假设。如果中芯国际能够每年新增足够的生产能力，而良率能持续改善，则实现目标并非不可能。然而，考虑设备和技术等因素，未来的进展仍需谨慎观察。
发表评论